科锐的 CGD15FB45P 6通道 SiC MOSFET 驱动器是一款 6包栅驱动器,针对科锐 CCSxxxM12CM2 电源模块进行了优化。这款驱动器的大电压达 1200V,包含 Desat 和 UVLO,专为工程和评估应用而设计。
Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商,通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域特的材料知识,并用以制造芯片及成套的器件,这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理大的功率,同时,与其它现有技术相比,其材料及产品发热低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途,包括多种令人兴奋的可选方案,包括:将亮、可调节的发光二管用于一般照明、获得鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二管芯片、照明用发光二管、背光发光二管、电源开关器件、以及广播/无线设备。
CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势:
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和小可达到13dB
• 工作电压40V,源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域:
• 卫星通讯
• 视距通信
CMPA5585025F 该器件采用小型封装,可减小晶体管尺寸与重量,降低热管理的成本,从而实现出色的线性效率(比传统解决方案高 60%)。此外,该器件运行时需要的工作电压(28 伏特)大于 GaAs MESFET(12 伏特),因此晶体管还支持低流耗,可降低功率分布损耗,实现高的整体系统效率。
CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃,存储温度为-65℃至150℃,大结温为225℃,使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中,热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W,器件在高温环境中具有良好的散热性能。
Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)基于单片微波集成电路(MMIC)。 GaN具有优异的性能相比,硅或砷化镓,包括高的击穿电压,高饱和电子漂移速度,高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了大的功率密度和宽的带宽相比,Si和GaAs晶体管。这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器,使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装,配有钨铜散热器。
典型应用包括
双通道私人电台
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信,这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。